Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:40 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI
