Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, LPDRAM móvil
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:1G x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
