Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:8M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:35 segundos
Interfaz de Memoria:Autobús hipersónico
