Componentes Electrónicos, Módulo DIP 28, Memoria DS1225AB-200, En Existencia
Sin reseñas
Atributos
DS1225AB-200Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP
Organización de Memoria:8K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:200 nanos
Características clave
Número de Modelo
DS1225AB-200
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP
Organización de Memoria
8K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
200 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3099 unidades
EUR 0.5515
>= 3100 unidades
EUR 0.2758
Variantes
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