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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componentes Electrónicos, Transistores 6-VDFN con Pad Expuesto FDMA2002NZ, Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 0.7141
100-3,099 unidades
EUR 0.3658
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

FDMA2002NZ

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-VDFN con almohadilla expuesta

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Tipo de montaje
Estándar
FET característica
Puerta de nivel lógico
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Poder-Max
650mW
PAQUETE/cubierta
6-VDFN con almohadilla expuesta
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Número de pieza del fabricante
FDMA2002NZ
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
PowerTrench
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2.9A
Rds (Max) @ Id Vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
220pF @ 15V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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