Componentes Electrónicos 67 VFBGA TC58NYG0S3HBAI6 Memoria en Stock
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Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128M x 8Organización de la memoria
Montaje en superficieTipo de montaje
TC58NYG0S3HBAI6Número de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:1Gbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Tipo de embajaje:Bandeja
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta:67-VFBGA
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:25ns
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:FLASH
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128M x 8
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
TC58NYG0S3HBAI6
Marca
Original
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
67-VFBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
25ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
FLASH
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 1.88
>= 3,001 unidades
EUR 0.9366
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
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