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Componentes Electrónicos Transistores 8-PowerWDFN SIZ342BDT-T1-GE3 en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

SIZ342BDT-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerWDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIZ342BDT-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
15.4A (Ta), 32.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
9.65mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
550pF @ 15V
Configuración
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 N-Channel, fuente común (medio puente)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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