Componentes Electrónicos 8 WDFN Exposed Pad GD5F4GM8UEWIGY Memoria en Stock
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Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruple, DTR
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
600 micros
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruple, DTR
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
5,700 - 8,699 unidades
EUR 248
>= 8,700 unidades
EUR 125
Variantes
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GD5F4GM8UEWIG
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