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Componentes Electrónicos 9-VFBGA EPC2107 Transistores Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 1.75
100-3,099 unidades
EUR 0.8773
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

EPC2107

Marca

Original

Descripción

MOSFET 3N-CH 100V 9BGA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

9-VFBGA

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
EPC2107
Marca
Original
Descripción
MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
9-VFBGA
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
eGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1.7A, 500mA
Rds (Max) @ Id Vgs
320mOhm a 2A, 5V, 3.3Ohm a 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Configuración
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)
Configuración
3 canales N (medio puente + bootstrap síncrono)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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