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Componentes Electrónicos BSP135L6327HTSA1 PG-SOT223-4-21 Transistores Originales Servicio Integral

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSP135L6327HTSA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-SOT223-4-21

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSP135L6327HTSA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-SOT223-4-21
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
SIPMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel, Depletion Mode
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
120mA (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
45 ohmios a 120 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 94µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
146 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
0V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N, modo de depleción
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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