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Componentes Electrónicos DS1258Y-100 # Módulo de Memoria de 40 DIP, Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR1976
9-3,008 unidades
EUR989
≥3,009 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1258Y-100#

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

2Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 2Mbit paralelo 40EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1258Y-100#
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
2Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 2Mbit paralelo 40EDIP
Tipo de embajaje
Caja
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 40 pines (0.610", 15.495mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores