Components Electronic Die ICPB1020-1-110I Transistors Original
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ICPB1020-1-110INúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
DiePackage / Case
Description:DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
Package:Box
Technology:GaN HEMT
Configuration:-
Frequency:14GHz
Gain:7.4dB
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
ICPB1020-1-110I
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
Die
Description
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
Package
Box
Technology
GaN HEMT
Configuration
-
Frequency
14GHz
Gain
7.4dB
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 114
≥ 3,100 unidades
EUR 0.5661
Variantes
ElegirCaracterísticas
ICPB1020-1-110I
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