Components Electronic Discrete Semiconductor Products 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads NXV65HR82DS2 BOM IC In Stock
Components Electronic Discrete Semiconductor Products 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads NXV65HR82DS2 BOM IC In StockSin reseñas
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
Discrete SemiconductorAplicación funcional
NXV65HR82DS2Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
16-SSIP Exposed Pad, Formed LeadsPackage / Case
Description:AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Package:Tube
Type:MOSFET
Configuration:H-Bridge
Current:26 A
Voltage - Isolation:5000Vrms
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Discrete Semiconductor
Número de Modelo
NXV65HR82DS2
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Description
AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Package
Tube
Type
MOSFET
Configuration
H-Bridge
Current
26 A
Voltage - Isolation
5000Vrms
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 2008
>= 3,100 unidades
EUR 1004
Variantes
ElegirCaracterísticas
NXV65HR82DS2
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