Componentes Electrónicos EDB8164B4PR-1D-F-R TR 216 WFBGA Memoria en Existencia
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
533 megahercios
Organización de la memoria
128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1000 - 3999 unidades
EUR 486
>= 4000 unidades
EUR 243
Variantes
ElegirEspecificación
EDB8164B4PR 1D FR TR
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