Componentes Electrónicos GD25WD05CEIGR 8 XFDFN Memoria de Placa Expuesta Original
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
64K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
64K por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico Bom Service
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
100 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 11,999 unidades
EUR 0.1746
>= 12,000 unidades
EUR 0.1235
Variantes
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GD25WD05CEIGR
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