Componentes Electrónicos GD5F2GQ4UF9IGR 8 VLGA Memoria de Placa Expuesta Original
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Atributos
Flash - NANDLa tecnología
No volátilTipo de memoria
256M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:120 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:700 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
Flash - NAND
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
256M por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
120 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
700 micros
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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Devolución fácil
3,000 - 5,999 unidades
EUR 1.49
>= 6,000 unidades
EUR 0.7415
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GD5F2GQ4UF9IGR
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