Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Organización de la memoria:512M x 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
