Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
