





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM -DDR
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:16M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo














