Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:memoria SDRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:8M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
