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Componentes Electrónicos de Memoria 119 BGA IDT71V65602S133BQ8 Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 0.5213
100 - 3,099 unidades
EUR 0.2607
≥ 3,100 unidades

Especificación

IDT71V65602S133BQ8 IDT71V65602S133BQ8 IDT71V65602S133BQ8

Características principales

Tipo

Componente y Pieza

Tamaño de la memoria

9 Mbits

Lugar del origen

China

Tipo de embajaje

Cinta y Carrete (TR)

Aplicación

Memoria

Características

Componentes Electrónicos IC

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Características clave

La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256K por 36
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
9 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores