Componentes Electrónicos de Memoria 132 VBGA MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR En Stock
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
512 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito IntegradoCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (MLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:267 megahercios
Organización de la memoria:64G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (MLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
267 megahercios
Organización de la memoria
64G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 1612
>= 5,000 unidades
EUR 806
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F512G08CMCEBJ4 37ITR:ETR
Envío
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