Componentes Electrónicos de Memoria 136 FBGA 08EP08-N3GTC32-GA67 Canal del Fabricante
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Atributos
FLASH - NAND, DRAM - LPDDRLa tecnología
No Volátil, VolátilTipo de memoria
-Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 GB (NAND), 8 Gbit (DRAM LPDDR3)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,8 V, 3,3 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC 5.1 HS400+LPDDR3
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR
Tipo de memoria
No Volátil, Volátil
Organización de la memoria
-
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,8 V, 3,3 V
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Componentes Electrónicos
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
8 GB (NAND), 8 Gbit (DRAM LPDDR3)
Tipo de embajaje
Bandeja
Interfaz de Memoria
eMMC 5.1 HS400+LPDDR3
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 3,000 unidades
EUR 1371
>= 3,001 unidades
EUR 686
Variantes
ElegirEspecificación
08EP08 N3GTC32 GA67
Envío
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