Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes y Piezas Electrónicas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Organización de la memoria:256M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:lámpara de luz
