Componentes Electrónicos de Memoria 216 WFBGA EDB4064B4PB-1D-F-D Canal del Fabricante
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Atributos
SDRAM - LPDDR2 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M x 64Organización de la memoria
Montaje en superficieTipo de montaje
EDB4064B4PB-1D-F-DNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:4Gbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
Tipo de embajaje:A granel
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta:216-WFBGA
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj:533 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:DRAM
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR2 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M x 64
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
EDB4064B4PB-1D-F-D
Marca
Original
Tamaño de la memoria
4Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
216-WFBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
533 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.7817
>= 3,100 unidades
EUR 0.3951
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
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