Componentes Electrónicos de Memoria, Módulo DIP de 28 Pines, DS1230W-100IND, Distribuidor Autorizado
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3099 unidades
EUR 0.5572
>= 3100 unidades
EUR 0.2786
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