Componentes Electrónicos de Memoria 44 TSOP FM21L16-60-TGTR Canal del Fabricante
Sin reseñas
Atributos
FRAM (RAM Ferroeléctrica)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:110 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FRAM (RAM Ferroeléctrica)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
110 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5566
>= 3,100 unidades
EUR 0.2783
Variantes
ElegirEspecificación
FM21L16 60 TRG
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