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Componentes Electrónicos de Memoria 6 XFDFN GD25WD10EK6IGR BOM IC en Stock
Sin reseñas
EUR 0.1167
3,000-5,999 unidades
EUR 0.0629
≥6,000 unidades
Código de fecha de fabricación
Características principales
Marca
Original
Número de pieza del fabricante
GD25WD10EK6IGR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Shipping
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Características clave
Marca
Original
Número de pieza del fabricante
GD25WD10EK6IGR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
6-XFDFN
Serie
GD25WD
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NOR (SLC)
-Tensión de alimentación
1.65V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
104 MHz
Organización de la memoria
128K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150µs, 6ms
Interfaz de memoria
SPI - E/S dual
Formato de memoria
FLASH
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores