Componentes Electrónicos de Memoria 78 TFBGA MT40A1G8WE-083E IT:B TR En Stock
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)
Atributos
SDRAM - DDR4La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
1G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,26 V
Frecuencia de reloj:1,2 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR4
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
1G por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,26 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip IC
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
1,2 GHz
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
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Descripción de producto del proveedor
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
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>= 3,100 unidades
EUR 0.28
Variantes
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MT40A1G8WE 083E TI: TR
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