Componentes Electrónicos de Memoria 8 VDFN Exposed Pad N25Q032A13EF640F TR Original
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
8M por 4Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:8 ms, 5 ms
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
8M por 4
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
32 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
108 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
8 ms, 5 ms
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
4,000 - 6,999 unidades
EUR 0.4284
>= 7,000 unidades
EUR 0.2142
Variantes
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