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Componentes Electrónicos de Memoria 96 TFBGA AS4C512M16D3L-12BINTR Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR 0.5199
100-3,099 unidades
EUR 0.2644
≥3,100 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

AS4C512M16D3L-12BINTR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

8Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
AS4C512M16D3L-12BINTR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
8Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 95°C (TC)
PAQUETE/cubierta
96-TFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación
1.283V ~ 1.45V
Frecuencia de reloj
800 MHz
Organización de la memoria
512M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores