Componentes Electrónicos de Memoria TO 236 3, SC 59, SOT 23 3 BQ2022DBZR en Existencia
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Atributos
Componente y PiezaTipo
1 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT), a granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:EPROM - programa en tiempo real
-Tensión de alimentación:2,65 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32 bytes x 4 páginas
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Cable Simple
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT), a granel
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
EPROM - programa en tiempo real
-Tensión de alimentación
2,65 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32 bytes x 4 páginas
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Cable Simple
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 2,999 unidades
EUR 242
>= 3,000 unidades
EUR 160
Variantes
ElegirEspecificación
BQ2022DBZR
Envío
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