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Componentes Electrónicos, Módulo NXH020P120MNF1PG, Transistores, BOM, IC, en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

NXH020P120MNF1PG

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 1200V 51A

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NXH020P120MNF1PG
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
119W (Tj)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
30mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
213.5nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2420pF @ 800V
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
2 Canales N (Medio Puente)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores