Componentes Electrónicos NAND512W3A2BN6E 48 TFSOP Memoria en Existencia
Componentes Electrónicos NAND512W3A2BN6E 48 TFSOP Memoria en ExistenciaSin reseñas
Atributos
Flash - NANDLa tecnología
No volátilTipo de memoria
64M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
Flash - NAND
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
64M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
50 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
576 - 3,575 unidades
EUR 337
>= 3,576 unidades
EUR 169
Variantes
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NAND512W3A2BN6E
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