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Componentes Electrónicos PDTA143ZQAZ 3-XDFN, Transistores de Base Expuesta, Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR 0.036
100-3,099 unidades
EUR 0.027
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PDTA143ZQAZ

Marca

Original

Descripción

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

3-XDFN con almohadilla expuesta

Serie

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PDTA143ZQAZ
Marca
Original
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
3-XDFN con almohadilla expuesta
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Corriente de colector (Ic) (máx.)
100 mA
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
50 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corriente de colector de corte (Max)
1µA
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
100 @ 10mA, 5V
Poder-Max
280 mW
Resistencia Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia-emisor Base (R2)
47 kOhms
Tipo de Transistor
PNP - Pre-Biased
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), a granel
Tipo de transistor
PNP - Pre-polarizado
Corriente - Colector (Ic) (Máx)
100 mA
Frecuencia - Transición
180 MHz
Potencia - Máx.
280 mW

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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