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Componentes Electrónicos PG-TDSON-8-34 IAUC100N10S5L054ATMA1, Canal del Fabricante de Transistores

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IAUC100N10S5L054ATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TDSON-8-34

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IAUC100N10S5L054ATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TDSON-8-34
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
101A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 64µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3744 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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