Componentes Electrónicos R1LV0108ESF-5SI # Memoria S0 32 TFSOP en Existencia
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Atributos
Componente y PiezaTipo
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes de Circuitos ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Circuitos Electrónicos
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
55 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 205
>= 4,000 unidades
EUR 103
Variantes
ElegirEspecificación
R1LV0108ESF 5S # S0
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