Componentes Electrónicos RMLV0816BGSD-4S2 # Memoria HC0 52 TFSOP en stock
Sin reseñas
Características clave
La tecnología
SRAM
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
1M x 8, 512K x 16
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Marca
Original
Tamaño de la memoria
8Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC SRAM 8Mbit paralelo 52TSOP II
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
52-TFSOP (0.350", 8.89mm de ancho)
Serie
-
-Tensión de alimentación
2.4V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
45ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
SRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100-3,099 unidades
EUR 0.5132
≥3,100 unidades
EUR 0.261
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
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