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Componentes Electrónicos TO-252AA SIHD6N65ET1-GE3 Transistores Originales

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIHD6N65ET1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-252AA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIHD6N65ET1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-252AA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
E
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
820 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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