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Componentes Electrónicos TO-263HV IXTA1N170DHV Transistores Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR1422
100-3,099 unidades
EUR712
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IXTA1N170DHV

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263HV

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXTA1N170DHV
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263HV
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
Agotamiento
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel, Depletion Mode
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
16 ohmios a 500 mA, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
47 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3090 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N, modo de depleción
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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