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Componentes Electrónicos, Transistores 6-WDFN con Pad Expuesto NSS60200DMTTBG, BOM IC en Stock

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NSS60200DMTTBG

Marca

Original

Descripción

TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-WDFN con pad expuesto

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NSS60200DMTTBG
Marca
Original
Descripción
TRANS 2PNP DUAL 6-WDFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-WDFN con pad expuesto
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
450mV @ 200mA, 2A
Corriente de colector de corte (Max)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
150 @ 100mA, 2V
Poder-Max
-
Tipo de Transistor
2 PNP (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de transistor
2 PNP (Doble)
Corriente - Colector (Ic) (Máx)
-
Tensión - Ruptura colector-emisor
-
Potencia - Máx.
-
Frecuencia - Transición
155MHz

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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