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Componentes Electrónicos Transistores 8-DIP ALD212900APAL BOM IC En Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

ALD212900APAL

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
ALD212900APAL
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TJ)
Serie
EPAD, Umbral Cero
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
500mW
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
10.6V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80mA
Rds (Max) @ Id Vgs
14Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id
10mV @ 20µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
30pF @ 5V
Configuración
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 pares emparejados de canal N (dual)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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