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Componentes Electrónicos Transistores PG-HDSOP-16-6 IMLT65R060M2HXTMA1 Originales

Sin reseñas
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IMLT65R060M2HXTMA1

Marca

Original

Descripción

SICFET N-CH 650V 40A HDSOP-16

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-HDSOP-16-6

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IMLT65R060M2HXTMA1
Marca
Original
Descripción
SICFET N-CH 650V 40A HDSOP-16
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HDSOP-16-6
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
CoolSiC Gen 2
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
73 miliohmios a 15,4 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
18 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
669 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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