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Componentes Electrónicos Transistores PG-SOT223-4-21 BSP129L6906 En Stock

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100-3,099 unidades
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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSP129L6906

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia de canal N

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-SOT223-4-21

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSP129L6906
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia de canal N
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-SOT223-4-21
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
SIPMOS
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel, Depletion Mode
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
240 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
6 ohmios a 350 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
108 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
0V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N, modo de depleción
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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