Components Electronic Transistors PG-TO263-7-12 IMBG120R008M2HXTMA1 Manufacturer Channel
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Atributos
IMBG120R008M2HXTMA1Número de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
PG-TO263-7-12Package / Case
Description:SIC DISCRETE
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Número de Modelo
IMBG120R008M2HXTMA1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO263-7-12
Description
SIC DISCRETE
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 2899
>= 3,100 unidades
EUR 1450
Variantes
ElegirCaracterísticas
IMBG120R008M2HXTMA1
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