Atributos
IGT65R035D2ATMA1Número de Modelo
TransistorOptiMOSTipo
Infi neonMarca
Through HoleTipo de paquete
IGT65R035D2ATMA1Descripción
ORIGINALLugar del origen
PAQUETE/cubierta:PG-HSOF-8
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:OptiMOS 6
d/c:Newest
Uso:Propósito general
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada:Transistor
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.):STANDARD
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):STANDARD
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:STANDARD
Corriente de colector de corte (Max):STANDARD
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:STANDARD
Poder-Max:STANDARD
-Frecuencia de transición:STANDARD
Tipo de Montaje:STANDARD
Resistencia Base (R1):STANDARD
Resistencia-emisor Base (R2):STANDARD
FET tipo:N-Channel
FET característica:Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs:11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @@ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:160nC @@ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3700pF @@ 25V
Frecuencia:STANDARD
Ruido:STANDARD
-Tensión nominal:STANDARD
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):±20V
Tipo de montaje:Through Hole
