DGD2012S8-13 IC GATE DRV HALF BRIDGE 8SO 2.5K 8 SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) Componentes electrónicos Circuito integrado
Puntuación de la tienda:
5.0
(3 reseñas)
Atributos
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
Controladores de compuertaAplicación
Kit de Circuitos IntegradosCaracterísticas
Medio PuenteConfiguración Impulsada
IndependienteTipo de Canal
Número de Conductores:2
Tipo de Puerta:MOSFET de Canal N
Voltaje Lógico VIL, VIH:0,8 V, 2,5 V
Características clave
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Controladores de compuerta
Características
Kit de Circuitos Integrados
Configuración Impulsada
Medio Puente
Tipo de Canal
Independiente
Número de Conductores
2
Tipo de Puerta
MOSFET de Canal N
Voltaje Lógico VIL, VIH
0,8 V, 2,5 V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,500 - 5,499 unidades
EUR 0.2515
>= 5,500 unidades
EUR 0.1301
Variantes
ElegirEspecificación
DGD2012S8 13
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