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Transistores DMN2016UTS-13 8-TSSOP, Componentes Electrónicos en Stock

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN2016UTS-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMN2016UTS-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
880mW
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8.58A
Rds (Max) @ Id Vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1495pF @ 10V
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Drenaje común de canal N (doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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