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DMTH4014LPSWQ-13 MOSFET de Canal N PowerDI5060-8 BVDSS: 31V POWERDI506 Circuito Integrado IC en Stock

Sin reseñas
EUR 0.0906
2,500-2,499 unidades
EUR 0.0363
≥2,500 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

DMTH4014LPSWQ-13

Tipo de montaje

Montaje superficial, flanco mojable

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

PowerDI5060-8 (Tipo UX), Tape & Reel (TR)

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Características clave

Número de Modelo
DMTH4014LPSWQ-13
Tipo de montaje
Montaje superficial, flanco mojable
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PowerDI5060-8 (Tipo UX), Tape & Reel (TR)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET BVDSS: 31V a 40V POWERDI506
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C
43.5A (Tc)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx.) en Id, Vgs
14,5 mOhm a 20 A, 10 V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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