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DMTH6010LPSWQ-13 PowerDI5060-8 MOSFET de Canal N, N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI, Componentes Electrónicos Originales en Línea

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Características principales

Número de Modelo

DMTH6010LPSWQ-13

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

PowerDI5060-8 (Tipo Q), Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo
DMTH6010LPSWQ-13
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
PowerDI5060-8 (Tipo Q), Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C
15.5A (Ta), 80A (Tc)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx.) en Id, Vgs
8mOhm a 20A, 10V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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